開關型發生器發展的幾個階段
日期：
2019-05-22
開關型發生器的發展其實與開關型電源的發展息息相關,而開關型電源發展又電力電子開關器件的發展緊密相連,電力電子開關器件的發展過程如下:
第一種是用雙機開關晶體管（雙機型開關晶體管）作為開關電源的開關管，它的主要缺點是由于雙極開關管的上升、下降時延較大，開關頻率不能太高，線路成熟、價格低，在開關電源場合還有很多應用，但在超聲波發生器中由于開關頻率低，沒有太大的應用。
第二種是用VDMOS管（垂直溝道MOS管，或稱功率MOS管），VDMOS管也有幾代的發展，其主要優點是：開關頻率高，驅動簡單，抗擊穿性好，缺點是耐高壓的器件，導致電阻大，在高壓大電流場合功耗較大，因此大功率（1500W以上）有些困難，但隨著VDMOS工藝不段改進，輸出功率也越來越大，在超聲波中可以用于100KHZ以上的發生器。
第三種是IGBT（隔離柵雙極管），是一種MOS與雙極管結合的產物，既有MOS管開關頻率高，驅動簡單等優點，也有雙極管導通壓降小，耐壓高等優點。它的開關頻率日前可以在40~50KHZ，功率可以達到5000W，在一般超聲波發生器中可以很少的運用，它的價格較高，保護線路要求復雜。
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